Irf620 Mosfet N-chan 200v 6a

Descripción

El IRF620PBF es un modo de mejora de canal N de tercera generación. El MOSFET de potencia viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia de ENCENDIDO. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.

Clasificación dV / dt dinámica
Avalancha repetitiva calificada
Facilidad de paralelismo
Requisitos sencillos de manejo
Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, comercial
Información Básica
Polaridad del transistor: Canal N
Corriente continua Id: 5.2 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Resistencia (on): 800 mohm
RDS (on) Tensión de prueba Vgs: 10 V
Tensión umbral Vgs: 2 V
Disipación de energía Pd: 50 W
Resistencia de activación RDS (on) typ: 0.55 ohms
Temperatura de operación mínima: -55°C
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-220AB
3 pines
Sustituto
NTE2388 IRF634 IRFI630G STP6N25